|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N6488 |
|
Транзистор NPN 80V 15A 75W B:20-150
|
|
|
104.00
|
|
|
|
2N6488 |
|
Транзистор NPN 80V 15A 75W B:20-150
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N6491 |
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N6491 |
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N6491 |
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150
|
|
|
|
|
|
|
2N6491 |
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150
|
ON SEMICONDUCTOR
|
9 984
|
|
|
|
|
KBU4J |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KBU4J |
|
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
KBU4J |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
KBU4J |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
KBU4J |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU4J |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU4J |
|
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
KBU4J |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
KBU4J |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KBU4J |
|
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
|
1 378
|
22.92
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YJ
|
2 914
|
25.01
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
HOTTECH
|
6 713
|
36.46
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
KOME
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YANGJIE
|
3 200
|
26.61
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YIXING
|
1 600
|
22.44
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
SEP
|
738
|
33.60
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
|
|
411.48
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
755
|
|
|