Версия для печати
Технические характеристики KBU6B

Тип монтажа	Выводной
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Single Phase
Current - DC Forward (If)	6A
Voltage - Peak Reverse (Max)	100V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	KBU
Корпус (размер)	KBU

KBU4x SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE Также в этом файле: KBU6B Производитель: GOOD-ARK Electronics //www.goodark.com KBU6B datasheet 175.2Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диодные мосты

Синонимы от поставщиков: KBU6B ; KBU-6B ; KBU 6B ; KBU — 6B ; KBU6B ; диод KBU6B ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		12065C105KAT2A			AVX	46 568	3.39
		12065C105KAT2A			AVX Corporation
		12065C105KAT2A
		12065C105KAT2A			AVX
		12065C105KAT2A			KYOCERA-AVX
		4.7МКФ 25В (5X11,НЕПОЛЯРН.)		Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 25В			12.80
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220			135.96
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	NSC
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	США
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	TEXAS INSTRUMENTS
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	TEXAS
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	HGSEMI	405	51.96
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	4-7 НЕДЕЛЬ	275
		КТ8101А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		103	222.00
		КТ8101А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	60	218.62
		КТ8101А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	167	265.00
		КТ8101А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КВАЗАР
		КТ8101А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРРЯНСК
		КТ8101А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	20
		КТ8101А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	264
		КТ8101А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	3
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц		11 972	27.60
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	КРЕМНИЙ	4 320	54.76
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	БРЯНСК	12 977	38.16
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	МИНСК	7 976	38.16
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	RUS
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	1000
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	10000
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	11366
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	27
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	4794

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"