Версия для печати
Технические характеристики 293D156X9016B2TE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TANTAMOUNT® 293D
Емкость	15µF
Номинальное напряжение	16V
Допустимые отклонения емкости	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	2.000 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	1210 (3528 Metric)
Size / Dimension	0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Высота	0.083" (2.11mm)
Manufacturer Size Code	B
Возможности	General Purpose
Тип	Электролитический танталовый
Tolerance	±10%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		293D156X9035D2TE3			Vishay/Sprague
		293D156X9035D2TE3			SPRAGUE
		293D156X9035D2TE3			VISHAY	800	47.82
		293D156X9035D2TE3
		293D156X9035D2TE3			КИТАЙ
		293D336X9016C2TE3		Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В	SPRAGUE
		293D336X9016C2TE3		Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В	Vishay/Sprague
		293D336X9016C2TE3		Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В	VISHAY	4 240	18.50
		293D336X9016C2TE3		Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	119	81.20
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...		1 327	88.80
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	МЕКСИКА
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INFINEON
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	VBSEMI
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	1
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	EVVO	47	38.29
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MICRO SEMICONDUCTOR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	CENTRAL SEMI
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	FAIR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MASTER INSTRUMENT CO
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MCC
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	DIOTEC	6 648	6.62
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	SEMICRON
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	FAIRCHILD
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	GALAXY
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	CENTRAL SEMI
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	FAIRCHILD	12 903
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	Fairchild Semiconductor
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	КИТАЙ
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	DC COMPONENTS	17 868	1.83
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MIC	20 764	1.93
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	KINGTRON
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)		389	11.34
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	KINGTRONICS
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	FSC
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	ONS
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	ONS-FAIR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	YJ	36 800	2.07
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	GALAXY ME
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	LRC
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	YANGJIE	25 600	2.36
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	YANGJIE (YJ)
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	HOTTECH
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	WUXI XUYANG
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	1
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MDD	673	2.47
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	SUNTAN	12	1.59
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	YANGZHOU YANGJIE
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	KEEN SIDE	16 000	1.80  >100 шт.   0.90
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	ASEMI	1 420	1.13
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	DC COMPONENTS	3 391	11.23
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	MCC
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)		7 774	9.70
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	GALAXY
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	КИТАЙ
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	MIC
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	KINGTRONICS
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	PANJIT
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	GALAXY ME
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TSC
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	HOTTECH	681	9.75
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	SEP	72	9.95
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	1750

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"