| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ADP3330ARTZ-5 |
|
|
|
10
|
369.18
|
|
|
|
|
ADP3330ARTZ-5 |
|
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ADP3330ARTZ-5 |
|
|
|
10
|
369.18
|
|
|
|
|
ADP3330ARTZ-5 |
|
|
ANALOG DEVICES
|
8
|
140.54
|
|
|
|
|
ADP3330ARTZ-5 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
351
|
|
|
|
|
|
CR43NP-4R7MC |
|
|
SUMIDA
|
|
|
|
|
|
|
CR43NP-4R7MC |
|
|
SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
|
|
|
|
|
|
|
CR43NP-4R7MC |
|
|
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
VISHAY
|
3 076
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
VIS
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-0710KL |
|
Резистор SMD 0805, 10кОм, 0.125Вт, 5%
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-0710KL |
|
Резистор SMD 0805, 10кОм, 0.125Вт, 5%
|
|
|
14.44
|
|
|
|
RC0805JR-0710KL |
|
Резистор SMD 0805, 10кОм, 0.125Вт, 5%
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-0710KL |
|
Резистор SMD 0805, 10кОм, 0.125Вт, 5%
|
Yageo
|
416 073
|
0.70
>1000 шт. 0.14
|
|
|
|
RC0805JR-0710KL |
|
Резистор SMD 0805, 10кОм, 0.125Вт, 5%
|
YAGEO
|
142 500
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
124
|
39.04
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
572
|
33.12
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|