|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
GRM32ER72A225KA35L |
|
Керамический конденсатор 2.2 мкФ 100 В
|
MURATA
|
32 538
|
11.76
|
|
|
|
GRM32ER72A225KA35L |
|
Керамический конденсатор 2.2 мкФ 100 В
|
|
|
|
|
|
|
GRM32ER72A225KA35L |
|
Керамический конденсатор 2.2 мкФ 100 В
|
MUR
|
92 920
|
8.76
|
|
|
|
GRM32ER72A225KA35L |
|
Керамический конденсатор 2.2 мкФ 100 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM32ER72A225KA35L |
|
Керамический конденсатор 2.2 мкФ 100 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM32ER72A225KA35L |
|
Керамический конденсатор 2.2 мкФ 100 В
|
|
|
|
|
|
|
GRM43DR72J104KW01L |
|
Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).
|
MURATA
|
17 107
|
13.58
|
|
|
|
GRM43DR72J104KW01L |
|
Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).
|
|
|
|
|
|
|
GRM43DR72J104KW01L |
|
Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM43DR72J104KW01L |
|
Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).
|
MUR
|
128 801
|
9.56
|
|
|
|
GRM43DR72J104KW01L |
|
Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
|
3
|
14.80
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
HSMH-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BROADCOM
|
4 834
|
18.73
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
ONS
|
13 074
|
15.10
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
427
|
|
|
|
|
STW13NK100Z |
|
N-channel 1000v - 0.56? - 13a - to-247 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STW13NK100Z |
|
N-channel 1000v - 0.56? - 13a - to-247 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STW13NK100Z |
|
N-channel 1000v - 0.56? - 13a - to-247 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STW13NK100Z |
|
N-channel 1000v - 0.56? - 13a - to-247 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
|
|
|
|