SPW20N60S5

Версия для печати

Технические характеристики SPW20N60S5

Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 13A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	103nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3000pF @ 25V
Power - Max	208W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	PG-TO247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPW20N60S5 (Мощные полевые МОП транзисторы)

Cool Mos Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPW20N60S5 datasheet
254.88Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-NP0-22PF 5% 50V	Керамический конденсатор 22 пФ, 50 В, 5%	MURATA
0805-NP0-22PF 5% 50V	Керамический конденсатор 22 пФ, 50 В, 5%		1 870	1.20
0805-X7R-0.010UF 10% 50V	Керамический конденсатор 0.010 мкФ 50 В	MURATA
0805-X7R-0.010UF 10% 50V	Керамический конденсатор 0.010 мкФ 50 В			4.80
SCK-0510	NTC термистор 5 Ом, 10А			68.00
SCK-0510	NTC термистор 5 Ом, 10А	TKS
TDA1541A		NXP
TDA1541A
TDA1541A		4-7 НЕДЕЛЬ	700