| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3700 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Крутизна характеристики S,мА/В | 2600 |
| Корпус | TO220 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N4004 (1A 400V) |
|
Выпрямительный диод (Vr=400V (280Vrms), I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -65 to +125C)
|
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIRCHILD
|
2 113
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
2 230
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MOTOROLA
|
1 040
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DIODES INC.
|
2 063
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
КИТАЙ
|
3
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
|
20 324
|
1.21
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DC COMPONENTS
|
14 046
|
2.07
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MD
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ONS-FAIR
|
1
|
1.39
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MASTER INSTRUMENT
|
532
|
5.47
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
207
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
98.38
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
|
664
|
79.98
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
YOUTAI
|
4 678
|
34.08
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
WS
|
|
|
|
|
|
|
P600J |
|
Выпрямительный диод 600V 6A P6
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
P600J |
|
Выпрямительный диод 600V 6A P6
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
P600J |
|
Выпрямительный диод 600V 6A P6
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
249
|
|
|
|
|
|
P600J |
|
Выпрямительный диод 600V 6A P6
|
|
|
|
|
|
|
|
P600J |
|
Выпрямительный диод 600V 6A P6
|
DIOTEC
|
3 423
|
13.47
|
|
Версия для печати
