Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2 760	16.00
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	468	14.46
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	32	4.44
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	7 862	17.96
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	RUME	118	3.88
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	TRR	5 200	3.99
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	MICRO SEMICONDUCTOR
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	DC COMPONENTS	11 673	1.23
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)			3.56
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	GENERAL SEMICONDUCTOR	11 072
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	FAIRCHILD
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	Fairchild Semiconductor
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	MICROSEMI CORP
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	DIOTEC
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	FAIR
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	КИТАЙ
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	KINGTRONICS
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	ONS-FAIR
		UF4006		Ультробыстрый диод (1А,800В)	ONS
		КН102А		Отечественный динистор (диодный тиристор).		800	57.78
		КН102А		Отечественный динистор (диодный тиристор).	ТОМИЛИНО
		КН102А		Отечественный динистор (диодный тиристор).	ТОР
		КН102А		Отечественный динистор (диодный тиристор).	РОССИЯ
		М42303 20А (АНАЛОГ)
		М42303 20В (АНАЛОГ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"