Версия для печати
Технические характеристики FAN7380MX

Корпус	8-SOICN
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Число выходов	2
Число конфигураций	1
Ток пиковое значение	90mA
Время задержки	135ns
Тип входа	Non-Inverting
Конфигурация	Half Bridge
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

FAN7380M (Полупериодные мосты) Half-Bridge Gate Driver Также в этом файле: FAN7380MX Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com FAN7380MX datasheet 408.47Kb 12стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIR
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	PHILIPS
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	NXP
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	MCC
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIRCHILD
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	DC COMPONENTS
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz		21 604	1.58  >100 шт.   0.79
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIRCHILD
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	NXP	1 194
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	PHILIPS	1 354
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	DIOTEC	16 480	3.06
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	KEC
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	LRC
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	HOTTECH	40 000	1.38  >100 шт.   0.69
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	KLS
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SEMTECH
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	YJ	65 715	1.03
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SUNTAN	8 011	1.01
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SHIKUES
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	KEEN SIDE	2 360	1.36  >100 шт.   0.68
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	50000
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт		69 656	1.82  >100 шт.   0.91
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	INFINEON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS	800	8.59
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 196	2.57
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	MCC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DC COMPONENTS	29 424	2.69
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	UTC	38	5.88
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DIOTEC	239	2.82
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ON SEMICONDUCTOR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ONS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 497
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	STMicroelectronics
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS SEMIC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	КИТАЙ
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KINGTRON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY ME
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	HOTTECH	304 417	1.09
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	LRC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KLS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEXPERIA
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YJ	280 000	1.03
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE (YJ)
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEX-NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	5	1.60
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ZH
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	TRR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SUNTAN	712 712	1.84  >100 шт.   0.92
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	1
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KEEN SIDE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	3611
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	611
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	RUME	31 680	1.47  >500 шт.   0.49
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop			936.00
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FSC
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD	483	339.92
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS-FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS	2	378.47
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONSEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	RUME	1 200	132.25
		IR2153STRPBF		Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2153STRPBF		Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2153STRPBF		Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс	INFINEON	1 040	96.09
		IR2153STRPBF		Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс		1 181	100.66
		IR2153STRPBF		Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	635
		IRGB20B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRGB20B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный			330.44
		IRGB20B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный	INFINEON

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"