BTS716G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BTS716G (INFINEON.)	63	3-4 недели Цена по запросу
BTS716G (4-7 НЕДЕЛЬ)	724	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BTS716G

Корпус	PG-DSO-20
Корпус (размер)	20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Напряжение питания	5.5 V ~ 40 V
Ток - выходной (пиковое значение)	6.5A
Ток выходной / канал	2.6A
Сопротивление (On-State)	110 mOhm
Число выходов	4
Тип входа	Non-Inverting
Тип	High Side
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BTS716 (Дискретные сигналы)

Smart High-Side Power Switch Four Channels: 4 x 140mohm Status Feedback

Также в этом файле: BTS716G

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

BTS716G datasheet
402.6Kb
14стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74AHCT541D,112		NXP Semiconductors
BTS 5210G	Wideband, 37 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 4:1 Mux/SP4T	INFINEON
CD74HCT125M96		TEXAS INSTRUMENTS
CD74HCT125M96		TEXAS INSTRUMENTS	2 036
CD74HCT125M96
CD74HCT125M96		4-7 НЕДЕЛЬ	342
IRFZ46NPBF	Полевой транзистор N-Канальный 55V 46A 88W 0,02R	INTERNATIONAL RECTIFIER	18	53.00
IRFZ46NPBF	Полевой транзистор N-Канальный 55V 46A 88W 0,02R	INFINEON
IRFZ46NPBF	Полевой транзистор N-Канальный 55V 46A 88W 0,02R
TLE7259G		INFINEON
TLE7259G
TLE7259G		4-7 НЕДЕЛЬ	745