NTMS4800NR2G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTMS4800NR2G		20.80

Версия для печати

Технические характеристики NTMS4800NR2G

Power - Max	750mW
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	940pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 7.5A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CDRH5D18-330NC		SUMIDA
CDRH5D18-330NC
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FAIR
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FSC
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FAIRCHILD
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт			174.00
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FAIRCHILD
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	Fairchild Semiconductor
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	КИТАЙ
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	ONS
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	214
SI4835BDY-T1		SILICONIX	111
STM32F100C8T6B		ST MICROELECTRONICS	1 553	163.82
STM32F100C8T6B			692	169.65
STM32F100C8T6B		STMicroelectronics
STM32F100C8T6B		МАЛАЙЗИЯ
STM32F100C8T6B		ST MICROELECTRONICS SEMI
STM32F100C8T6B		ST MICROELECTRO
STM32F100C8T6B		STMICROELECTR
STM32F100C8T6B		4-7 НЕДЕЛЬ	516
ТОКОПРОВОДЯЩИЙ КЛЕЙ КОНТАКТОЛ 5Г