С2-29 0.25 0.5% 10К

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1381	Биполярный транзистор PNP 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SC3503)	SANYO
2SA1381	Биполярный транзистор PNP 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SC3503)	SAN
2SA1381	Биполярный транзистор PNP 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SC3503)			7.36
2SA1381	Биполярный транзистор PNP 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SC3503)	КИТАЙ
2SA1381	Биполярный транзистор PNP 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SC3503)	NO TRADEMARK
2SA1381	Биполярный транзистор PNP 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SC3503)	ISCSEMI
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	SANYO
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	SAN
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz			28.76
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	КИТАЙ
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	ISCSEMI
LTD6910H (КРАСНЫЙ)
REF195GPZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
REF195GPZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C	ANALOG
REF195GPZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C	Analog Devices Inc
REF195GPZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C	США
REF195GPZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
REF195GPZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
REF195GPZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C
REF195GPZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	162
REF195GPZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C	ADI
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		2 760	38.64
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	16 172	46.20
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	1 680	84.72
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ