| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
OP37GSZ |
|
Операционный усилитель бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OP37GSZ |
|
Операционный усилитель бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP37GSZ |
|
Операционный усилитель бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
OP37GSZ |
|
Операционный усилитель бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, ...
|
|
|
196.00
|
|
|
|
OP37GSZ |
|
Операционный усилитель бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP37GSZ |
|
Операционный усилитель бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
OP37GSZ |
|
Операционный усилитель бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
OP37GSZ |
|
Операционный усилитель бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
OP37GSZ |
|
Операционный усилитель бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
92
|
|
|
|
|
|
К71-7 250В 0.026 МКФ 0.5% |
|
|
|
347
|
84.00
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
|
172
|
45.36
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
КРЕМНИЙ
|
34
|
26.46
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
КРЕМНИЙ (БРЯНСК)
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
324
|
49.14
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
283
|
35.91
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
35
|
48.56
|
|
|
|
|
ТПП231-220-50 |
|
|
|
|
2 845.68
|
|
|
|
|
ТПП231-220-50 |
|
|
ТРАНСВИТ
|
|
|
|