| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 20V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50nA @ 14V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 350mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 55 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Tolerance | ±5% |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
2 513
|
2.10
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
6 617
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
35 455
|
2.03
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
337
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
OTHER
|
1 165
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
552
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
|
|
3.00
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
59
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
2 164
|
2.10
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
268
|
1.72
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
153 028
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
307 331
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
23 985
|
1.33
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SUNTAN
|
232
|
1.15
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KEEN SIDE
|
1 996
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
|
44
|
30.24
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
INTEGRAL
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 145
|
20.61
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
HOTTECH
|
3 947
|
9.65
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
WUXI XUYANG
|
17
|
24.83
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
SUNTAN
|
1 368
|
7.07
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
LUGUANG
|
3 200
|
8.68
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NXP
|
17 654
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
16 810
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NEXPERIA
|
792
|
1.29
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
KEEN SIDE
|
12 252
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
LM318D |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM318D |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM318D |
|
|
|
4
|
72.40
|
|
|
|
LM318D |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM318D |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM318D |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
348
|
|
|
|
|
|
PMBT5401 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PMBT5401 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PMBT5401 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
3.52
|
|
|
|
|
PMBT5401 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
NXP
|
1
|
|
|
|
|
|
PMBT5401 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
PHILIPS
|
16
|
|
|