BFT46
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 200µA @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current Drain (Id) - Max | 10mA |
| FET Type | N-Channel |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1.2V @ 0.5nA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5pF @ 10V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
| Power - Max | 250mW |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCV62B | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BCV62B |
|
19.20 | |||||
|
|
BCV62B | INFINEON |
|
|
||||
|
|
BCV62B | NXP |
|
|
||||
|
|
BCV62B | PHILIPS |
|
|
||||
| DM74LS04M |
|
|
||||||
| DM74LS04M | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| DM74LS04M |
|
|
||||||
| DM74LS04M | 4-7 НЕДЕЛЬ | 143 |
|
|||||
|
|
LMV821M5 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LMV821M5 | NSC |
|
|
||||
|
|
LMV821M5 |
|
82.56 | |||||
|
|
LMV821M5 | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 205 |
|
||||
|
|
LMV821M5 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LMV821M5 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 508 |
|
||||
| PMBFJ174 | PHILIPS |
|
|
|||||
| PMBFJ174 | PHILIPS |
|
|
|||||
| PMBFJ174 | NXP |
|
|
|||||
| PMBFJ174 |
|
142.00 | ||||||
 |
|
КТ610Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ... | 16 | 555.00 | ||
|
|
|
КТ610Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ... | МИНСК |
|
|
