IS61WV25616BLL-10TLI
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | SRAM - Asynchronous |
| Объем памяти | 4M (256K x 16) |
| Скорость | 10ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 2.4 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 44-TSOP II |
| Корпус | 44-TSOP II |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZB784-C12 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZB784-C12 | NXP |
|
|
|||||
| BZB784-C12 | NXP | 4 621 |
|
|||||
| BZB784-C12 | PHILIPS | 10 325 |
|
|||||
 |
FMB3904 | FAIR |
|
|
||||
|
|
FMB3904 | Fairchild Semiconductor |
|
|
||||
|
|
FMB3904 | ONS-FAIR |
|
|
||||
| L-C191GCT | PARALIGHT |
|
|
|||||
| L-C191GCT | EVERLIGHT |
|
|
|||||
| L-C191GCT | PARA | 30 560 | 2.73 | |||||
| L-C191GCT |
|
|
||||||
| MAX6845UKD3+T | MAX |
|
|
|||||
| MT29F16G08ABABAWP-IT:B |
|
Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC |
|
|
||||
| MT29F16G08ABABAWP-IT:B |
|
|
|
|||||
| MT29F16G08ABABAWP-IT:B |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 606 |
|
