| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
КП504А |
|
|
|
1 129
|
21.16
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
МИНСК
|
19 099
|
30.43
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 600
|
86.79
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
1900
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
21984
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
49
|
46.85
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
238
|
75.60
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
184
|
96.09
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
|
788
|
21.16
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
КРЕМНИЙ
|
1 017
|
33.57
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
БРЯНСК
|
808
|
32.22
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
508
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 796
|
27.90
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 012
|
32.79
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 665
|
32.22
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1415
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
20
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3147
|
|
|
|
|
|
|
П217В |
|
|
|
1
|
52.92
|
|
|
|
|
П217В |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
П217В |
|
|
1
|
|
|
|