| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2.2МКФ 50 (4X5)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
|
|
500.00
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
RX27-1 47 ОМ 10W 5% / SQP10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
RX27-1 47 ОМ 10W 5% / SQP10 |
|
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
160
|
283.50
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
|
2 187
|
345.95
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
1
|
|
|
|
|
|
|
ПЭВ-10 47 +10% |
|
|
АЛЗАС
|
|
|
|