SI7682DP-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI7682DP-T1-E3 (SILICONIX.)	2 328	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI7682DP-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1595pF @ 15V
Power - Max	27.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® SO-8
Корпус	PowerPAK® SO-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.