|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
|
|
|
|
|
|
CERCAP 0.1/50V 0805 KX7R |
|
Конденсатор керамический: SMD-0805, 0.1 мкФ, +/-10%, 50 В, X7R
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CERCAP 0.1/50V 0805 KX7R |
|
Конденсатор керамический: SMD-0805, 0.1 мкФ, +/-10%, 50 В, X7R
|
SAM
|
|
|
|
|
|
CERCAP 0.1/50V 0805 KX7R |
|
Конденсатор керамический: SMD-0805, 0.1 мкФ, +/-10%, 50 В, X7R
|
HITA
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 945
|
16.80
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
|
13.20
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONS
|
6 937
|
17.35
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
0.00
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMI
|
4 307
|
16.99
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
739
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
|
|
24.80
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS
|
4 221
|
14.45
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
794
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 856
|
98.08
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
|
8
|
52.00
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
TOSHIBA
|
1
|
52.50
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ALLEGRO MICROSYSTEMS INC
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
YOUTAI
|
13 802
|
11.20
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
UMW
|
11 200
|
14.46
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
709
|
|
|