Версия для печати
Технические характеристики 2N4923

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-126-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 100mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 500mA, 1V
Power - Max	30W
Frequency - Transition	3MHz
Корпус	TO225AA

2N4923 Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com 2N4923 datasheet 110.32Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	ST MICROELECTRONICS
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	STMicroelectronics
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		764	13.13
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	476	14.46
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	72	3.69
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	20 831	10.31
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	RUME	3 958	3.47
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	TRR	6 400	3.57
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz			29.56
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRONICS	392	37.20
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ON SEMICONDUCTOR	9
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	STMicroelectronics
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	CDIL
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRO
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	HOTTECH	382	5.97
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	JSCJ	4 637	10.76

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160			18.48
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	ST MICROELECTRONICS	1 486	10.70
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	МИНСК
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	ПУЭРТО РИКО
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	ИНДИЯ
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	ST MICROELECTRO
		BD139-10		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160	MULTICOMP
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	FAIR
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	SANYO
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	ST MICROELECTRONICS
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	SAN
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	STMicroelectronics
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	YJ
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	США
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	TSL
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS			282.56
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	PHILIPS
		IRF1010N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	144.45
		IRF1010N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W			93.68
		IRF1010N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W	INFINEON
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	67.15
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERSIL
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...		8	74.00
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	Vishay/Siliconix
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	STMicroelectronics
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	КИТАЙ
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY/IR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ST MICROELECTRONICS
		IRF640NPBF		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	215	42.40
		IRF640NPBF		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640NPBF		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INFINEON	5 865	27.90
		IRF640NPBF		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...		1 022	20.34

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"