|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
|
|
|
|
|
|
|
2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
18
|
16.23
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
11 756
|
21.63
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
742
|
10.14
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
14 599
|
7.82
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
|
|
29.56
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 728
|
41.75
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
9
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
HOTTECH
|
627
|
9.56
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
JSCJ
|
3 284
|
8.00
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
8 709
|
2.88
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
8.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
4 008
|
3.11
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
12 047
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
7.18
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.34
|
|
|
|
2SB1109 |
|
PNP 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SD1609)
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SB1109 |
|
PNP 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SD1609)
|
|
|
|
|
|
|
2SB1109 |
|
PNP 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SD1609)
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SC5200+2SA1943 |
|
Мощные транзисторы NPN (230V, 15А, TO-3)
|
|
|
280.80
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
|
688
|
22.68
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
КРЕМНИЙ
|
4 198
|
17.21
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
МИНСК
|
4 784
|
17.85
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
607
|
8.40
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
ДАЛЕКС
|
768
|
24.80
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
5 608
|
18.90
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
2 329
|
17.06
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
619
|
8.40
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
7 656
|
16.80
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 372
|
16.80
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
91
|
10.21
|
|