Версия для печати
Технические характеристики BT151-800

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
SCR Type	Standard Recovery
Voltage - Off State	800V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	1.5V
Voltage - On State (Vtm) (Max)	1.75V
Current - On State (It (AV)) (Max)	7.5A
Current - On State (It (RMS)) (Max)	12A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	15mA
Current - Hold (Ih) (Max)	20mA
Current - Off State (Max)	500µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	100A, 110A
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Тиристоры

 » 

Тиристоры - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		470 UF 25V 105C 814 (JWCO)				32 080	2.10
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	DIODES
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	DC COMPONENTS	45 737	2.25
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MCC
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS		3	15.12
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	WTE
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GALAXY
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	КИТАЙ
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MIC	3 046	1.57
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KINGTRONICS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GALAXY ME
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YJ	38	4.13
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KLS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	SUNTAN
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YANGJIE	12 400	2.57
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YANGJIE (YJ)
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MIG
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	SEMTECH	176	5.00
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	OLITECH	48	2.30
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	1
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MDD	528	2.06
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	RUME	10 800	1.64
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	TRR ELECTRONICS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GOODWORK	819	1.86
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KEEN SIDE
		IRF5305PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF5305PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF5305PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A	INFINEON	684	70.81
		IRF5305PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A		752	50.89
		IRF5305PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A	IR/VISHAY	40	87.12
		MJE5850				1	146.15
		MJE5850			ON Semiconductor
		MJE5850				1	146.15
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс		437	115.92
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СТАРТ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СССР ЭКСПОРТ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СТАРТМОСКВА
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	RUS
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	ТАРТ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СЗТП	26	109.62
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	П/П 2
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	РОССИЯ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	САРАНСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"