|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 6A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | QFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SANYO | 4 | 143.64 | |
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | 1 | 127.26 | ||
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISCSEMI |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISC | 1 145 | 27.30 | |
|
|
|
FQP30N06 |
|
60v n-channel mosfet | FAIRCHILD SEMICONDUCTORS |
|
|
|
|
|
|
FQP30N06 |
|
60v n-channel mosfet | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FQP30N06 |
|
60v n-channel mosfet | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FQP30N06 |
|
60v n-channel mosfet |
|
|
||
|
|
|
FQP30N06 |
|
60v n-channel mosfet | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
FQP30N06 |
|
60v n-channel mosfet | ONS |
|
|
|
| СВЕРЛО 1.0 ММ |
|
45.20 | ||||||
| СВЕРЛО 1.5 ММ |
|
45.20 | ||||||
| СВЕРЛО 2.0 ММ |
|
45.20 |