Версия для печати
Технические характеристики IRGPS40B120U

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 50A
Current - Collector (Ic) (Max)	80A
Power - Max	595W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-274AA
Корпус	SUPER-247 (TO-274AA)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	DC COMPONENTS	7 401	5.19
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)		209	22.20
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	GALAXY
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	КИТАЙ	80	22.68
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	YJ	14 361	3.57
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	GALAXY ME
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	HOTTECH	2 839	4.33
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	SUNTAN	9 367	10.21
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	WUXI XUYANG	916	13.38
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	YANGJIE
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	YANGJIE (YJ)
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	KOME
		DB157		Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)	LGE	12 680	4.76
		DSEP30-12A			IXYS	1 392	301.73
		DSEP30-12A
		KB852			KB
		KB852			KINGBRIGHT
		KB852					68.36
		KB852			СИНГАПУР
		KB852			4-7 НЕДЕЛЬ	129
		KTIR0921DS			KINGBRIGHT
		KTIR0921DS					53.00
		KTIR0921DS			KB
		KTIR0921DS			КИТАЙ
		KTIR0921DS			KGB
		KTIR0921DS			4-7 НЕДЕЛЬ	618
		LG250M1000BPF-3540		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 250 В	YAGEO
		LG250M1000BPF-3540		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 250 В
		LG250M1000BPF-3540		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 250 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		LG250M1000BPF-3540		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 250 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"