МЛТ - 1 ВТ 1.0 ОМ 5%

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
МЛТ - 1 ВТ 1.0 ОМ 5%	316	3.36

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N5195		ON SEMICONDUCTOR
2N5195				34.40
2N5195		ST MICROELECTRONICS
2N5195		ON SEMICONDUCTOR	48
2N5195		STMicroelectronics
2N5195		ST MICROELECTRONICS SEMI	104
G30N60A4	Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.	FAIR
G30N60A4	Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.			835.20
К73-17-400-0.022 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.022 мкФ 400 В			5.40
К73-17-400-0.022 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.022 мкФ 400 В	SUNTAN
К73-17-400-0.022 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.022 мкФ 400 В	КИТАЙ
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный		924	73.60
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	2 365	80.73
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	4 286	83.58
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	УЛЬЯНОВСК
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	RUS
КТ818Г	Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
МЛТ - 0.25 ВТ 24 ОМ 5%			1 124	1.26