МЛТ - 0.5 ВТ 1.1 КОМ 10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
530ЛН1			392	138.00
530ЛН1		ПРОХЛАДНЫЙ
530ЛН1		МИКРОН	340	424.00
530ЛН1		ЭЛЬКОР
530ЛН1		НАЛЬЧИК
680 UF 450V 105C 3560 (CHA
IRFZ44	Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	VISHAY
IRFZ44	Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFZ44	Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А			107.04
IRFZ44	Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	Vishay/Siliconix
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP		491	18.40
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	1 136	89.89
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ТРАНЗИСТОР
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	10 001	38.16
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	МИНСК
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	RUS
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ИНТЕГРАЛ
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	РАДИОДЕТ	152	21.24
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	157
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	5643
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	6882
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный		1 990	29.44
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	1 321	32.79
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	13 961	33.92
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	RUS
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	18072