МЛТ - 0.25 ВТ 8.2 ОМ 10%

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
МЛТ - 0.25 ВТ 8.2 ОМ 10%	416	1.18

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
100МКФ 25 (10X21,НЕПОЛЯРН.)105°C
3296W-1-472LF	Подстроечный резистор 4,7K	BOURNS	336	293.09
3296W-1-472LF	Подстроечный резистор 4,7K	Bourns Inc
3296W-1-472LF	Подстроечный резистор 4,7K
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	37 828	1.38
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный		53 412	7.56
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.09
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	168	8.27
МЛТ - 0.25 ВТ 5.1 ОМ 5%			280	1.26