МЛТ - 0.25 ВТ 11 ОМ 5%

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
МЛТ - 0.25 ВТ 11 ОМ 5%	78	1.26

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC945	Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz		2 488	1.02
2SC945	Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	NEC
2SC945	Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	DC COMPONENTS	5 807	3.30
2SC945	Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	КИТАЙ
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...		785	5.52
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ	800	14.05
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ПЛАНЕТА	1 404	10.15
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	БРЯНСК	2 505	14.50
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	МИНСК	1 720	13.96
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ЭЛЕКС
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ИНТЕГРАЛ
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМН
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ ЭЛ	1	2.90
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	132
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	2150
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	3000
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	765
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	1
МЛТ - 0.125 ВТ 15 КОМ 5%			400	1.09
МЛТ - 0.125 ВТ 300 КОМ 5%			161	1.09
П1М9-2Т	Масса переключателя не более 5 г Сопротивление изоляции не менее 1000 МОм ...		3	212.00