МБГП 250 В 1 МКФ 10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
STTH110	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ST MICROELECTRONICS
STTH110	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ST MICROELECTRONICS SEMI	2 438
STTH110	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	STMicroelectronics
STTH110	Ультрабыстрый диод 1000V 1A
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А		1 944	4.05
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	RUS
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	СЗТП	80	11.34
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	ФОТОН
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс		1 055	1.10
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	ХЕРСОН
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	ДНЕПР	800	1.59
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	RUS
КСОТ-1-500В-4700 ПФ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	191	850.50
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		28	629.00
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	193	1 312.50
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS