КБГ-МН 1000 В 2 МКФ 10%
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3006P-50К |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный | CHINA |
|
|
|||
| 3006P-50К |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный |
|
23.44 | ||||
| 3006P-50К |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный | CHINA NATIONAL |
|
|
|||
| 3006P-50К |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный | 0.00 |
|
|
|||
 |
BD238 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 2A 25W >3MHz |
|
37.88 | |||
|
|
BD238 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 2A 25W >3MHz | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
BD238 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 2A 25W >3MHz | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
BD238 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 2A 25W >3MHz | CDIL |
|
|
||
|
|
BD238 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 2A 25W >3MHz | КИТАЙ | 3 | 10.89 | ||
| КБГ-МН 200 В 4 МКФ 20% |
|
|
||||||
| КБГ-МН 200 В 6 МКФ 10% |
|
|
