|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
2 876
|
232.97
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
|
12
|
192.88
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
46
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
DC COMPONENTS
|
10 963
|
29.77
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
MCC
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
|
6 461
|
11.76
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
MIC
|
4 276
|
23.53
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YJ
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
GALAXY ME
|
13
|
26.57
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
KLS
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
HOTTECH
|
5 833
|
20.99
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
SEP
|
1 488
|
23.14
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YANGJIE
|
35 840
|
27.33
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
RUME
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
BO
|
1 600
|
11.29
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
|
296
|
128.99
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
СЗТП
|
8
|
151.20
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД2994А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, для преобразования переменного напряжения ...
|
СЗТП САРАНСК
|
80
|
143.97
|
|
|
|
КС515А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
|
|
71
|
120.25
|
|
|
|
КС515А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
КС515А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС515А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КС515А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КС515А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
789
|
14.72
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
1 479
|
12.47
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
1 780
|
6.30
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
2 505
|
17.01
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
1 720
|
16.38
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
4.60
|
|