| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
12 141
|
1.71
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
12.49
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
1
|
1.97
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
8
|
1.50
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
27 324
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
5
|
1
|
2.20
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
|
20 520
|
4.66
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
LGE
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
HOTTECH
|
760
|
10.33
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
YJ
|
59 212
|
9.56
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
1
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
SENOCN
|
8
|
7.50
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
SUNTAN
|
1 698
|
8.61
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
YANGJIE
|
8
|
15.71
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
266
|
40.60
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
|
796
|
32.14
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
284
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
5 754
|
41.40
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
19 411
|
50.88
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 440
|
123.98
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
12231
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
13221
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405Д |
|
|
|
489
|
3.68
|
|
|
|
|
КЦ405Д |
|
|
ЗОНД
|
48
|
16.96
|
|
|
|
|
КЦ405Д |
|
|
ИЗОТОП
|
37
|
16.96
|
|
|
|
|
КЦ405Д |
|
|
ИСТОК
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405Д |
|
|
СЗТП
|
8
|
65.59
|
|
|
|
|
КЦ405Д |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405Д |
|
|
47
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405Д |
|
|
60
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405Д |
|
|
542
|
1
|
4.55
|
|