|
|
Версия для печати
| Мощность рассеяния,Вт | 0.002 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 0.63 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 0.7 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 0.77 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 7 |
| при токе I ст,мА | 10 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.3 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 3 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 1 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 100 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
16K1 F 500R |
|
|
|||||
|
|
|
KBPC3510W 35A 1000V |
|
Диодный мост 35А, 1000В | 415 | 63.37 | ||
|
|
Д814В1 |
|
стекло | 8 820 |
1.48 >100 шт. 0.74 |
|||
|
|
Д814В1 |
|
стекло | СЗТП | 40 | 12.49 | ||
|
|
Д814В1 |
|
стекло | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
||
| КС600А1 |
|
41.68 | ||||||
| КС600А1 | НЗПП |
|
|
|||||
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | 288 | 231.25 | ||
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | КРИСТАЛЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | УЛЬЯНОВСК | 3 094 | 36.04 | |
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | УРЛЗ | 392 | 340.96 | |
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | КАЛУГА |
|
|