К50-35-220МКФ-40В+50/-20%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-270 5%	ЧИП — резистор			1.60 >100 шт. 0.80
K9F1G08U0C-PIB0		SAMSUNG
K9F1G08U0C-PIB0		SAM
K9F1G08U0C-PIB0
K9F1G08U0C-PIB0		SAMSUNG
K9F1G08U0C-PIB0		4-7 НЕДЕЛЬ	162
TDA7294	УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W	ST MICROELECTRONICS
TDA7294	УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W			229.48
TDA7294	УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W	4-7 НЕДЕЛЬ	620
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		335	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	532	28.35
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 271	37.80
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	42.36
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
МП-37-12-0.2-81М