| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
LM2576T-ADJG |
|
Импульсный стабилизатор 3A 1,23-37V 45Vs
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-ADJG |
|
Импульсный стабилизатор 3A 1,23-37V 45Vs
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-ADJG |
|
Импульсный стабилизатор 3A 1,23-37V 45Vs
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-ADJG |
|
Импульсный стабилизатор 3A 1,23-37V 45Vs
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-ADJG |
|
Импульсный стабилизатор 3A 1,23-37V 45Vs
|
|
332
|
251.52
|
|
|
|
|
LM2576T-ADJG |
|
Импульсный стабилизатор 3A 1,23-37V 45Vs
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-ADJG |
|
Импульсный стабилизатор 3A 1,23-37V 45Vs
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-ADJG |
|
Импульсный стабилизатор 3A 1,23-37V 45Vs
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-ADJG |
|
Импульсный стабилизатор 3A 1,23-37V 45Vs
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-ADJG |
|
Импульсный стабилизатор 3A 1,23-37V 45Vs
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-ADJG |
|
Импульсный стабилизатор 3A 1,23-37V 45Vs
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
155
|
|
|
|
|
 |
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
|
8 848
|
12.95
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ДНЕПР
|
9 111
|
10.60
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХАБАРОВСК
|
47
|
10.60
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
11899
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
1717
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-0.47МКФ- 63В |
|
|
СЕВЕРОЗАДОНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
406
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
2 041
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2159
|
|
|
|
|
|
|
ЧИП 0805 680 1% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
ЧИП 0805 680 1% |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
ЧИП 0805 680 1% |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
Версия для печати
