TS272IDT
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Число каналов | 2 |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 5.5 V/µs |
| Полоса пропускания | 3.5MHz |
| Ток - входного смещения | 1pA |
| Напряжение входного смещения | 1100µV |
| Ток выходной | 1mA |
| Ток выходной / канал | 45mA |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 3 V ~ 16 V, ±1.5 V ~ 8 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
STGW50NC60W |
|
N-канальный ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 55 а | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGW50NC60W |
|
N-канальный ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 55 а | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGW50NC60W |
|
N-канальный ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 55 а |
|
|
