TP0610K-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
TP0610K-T1-E3 (VISHAY)	34	23.93
TP0610K-T1-E3 (SILICONIX.)	368	3-4 недели Цена по запросу
TP0610K-T1-E3 (VISHAY.)	920	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики TP0610K-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	185mA
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	1.7nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	23pF @ 25V
Power - Max	350mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TP0610K

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Также в этом файле: TP0610K-T1-E3, TP0610K-T1--E3

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

TP0610K-T1-E3 datasheet
95.22Kb
5стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 1,5К 1%
0805-10K 1%	ЧИП - резистор 10 кОм, 1%, 0.125Вт			1.08 >500 шт. 0.36
0805-330K 1%	ЧИП — резистор		184	1.08 >500 шт. 0.36
AMS1117 4.5-7V TURN 3.3V DC-DC STEP DOWN POWER SUPPLY MODULE		HKSHAN	64	43.41
AMS1117-5.0 SOT-223