Версия для печати
Технические характеристики TL431CP

Корпус	8-PDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Ток выходной	100mA
Ток катод	1mA
Количество каналов	1
Допустимые отклонения емкости	±2%
Напряжение выходное	2.495 V ~ 36 V
Reference Type	Shunt, Adjustable, Precision
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Tolerance	±2%
Product Change Notification	LTB Notification 08/Jan/2008

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Опорные источники

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1206-0.25-22 (5%)
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	FAI/QTC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	26	92.13
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	VISHAY
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ONS
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	КИТАЙ
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MIC	2 926	23.12
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GALAXY
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YJ	2 235	32.40
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MCC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	TSC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)		3 240	20.34
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GALAXY ME
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	HOTTECH	200	59.37
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	KLS	26 377	28.83
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	PANJIT
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	SUNTAN
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGJIE	31 280	25.15
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	1
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	KEEN SIDE
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MERRYELC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	TRR	8 000	14.15
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARP	2 087	7.23
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц		32	13.02
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	КИТАЙ
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVL
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARPLCD
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	MICRONE	3 365	5.92
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVERLLIGHT
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	CHE
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	YOUTAI	56 767	4.28
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	UMW-YOUTAI
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SLKOR	29 585	5.81
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	4-7 НЕДЕЛЬ
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	RUME	122 400	2.05
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения		44	53.80
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	РИГА
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	МСХ1
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	ЛАТВИЯ
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	RUS
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	АЛЬФА РИГА	280	113.65
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	АЛЬФА
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"