|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-PDIP |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Ток выходной | 100mA |
| Ток катод | 1mA |
| Количество каналов | 1 |
| Допустимые отклонения емкости | ±2% |
| Напряжение выходное | 2.495 V ~ 36 V |
| Reference Type | Shunt, Adjustable, Precision |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Tolerance | ±2% |
| Product Change Notification | LTB Notification 08/Jan/2008 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | NXP |
|
|
||
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | VISHAY |
|
|
||
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | 1 248 | 31.45 | |||
|
|
D2SBA60 |
|
Диодный мост 2A, 600V | SHIN |
|
|
||
|
|
D2SBA60 |
|
Диодный мост 2A, 600V |
|
112.00 | |||
|
|
D2SBA60 |
|
Диодный мост 2A, 600V | SHINDENGEN |
|
|
||
|
|
LM35AH | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM35AH |
|
1 978.56 | |||||
|
|
LM35AH | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM35AH | 4-7 НЕДЕЛЬ | 596 |
|
||||
| МЛТ-0.25-33K |
|
|