|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
|
|
8.28
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
33
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEENSIDE
|
3 306
|
1.39
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
|
27 735
|
3.36
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
6 068
|
2.00
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
2 206
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PANJIT
|
13 038
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
2 175
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
БРЕСТ
|
168 343
|
2.90
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
1 712
|
1.60
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
692
|
4.92
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
39 227
|
2.44
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
1 654
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
19
|
2.52
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
592
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DCCOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
186 346
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
64 660
|
1.41
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEFAN
|
2 400
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
PHILIPS
|
201
|
140.00
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
|
11
|
176.00
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
1
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
PHIIPS
|
41
|
140.00
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
|
160
|
7.88
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
SGS
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
HTC
|
28 508
|
6.00
|
|