SUD45P03-10
P-channel enhancement-mode transistor
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6000pF @ 25V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252, (D-Pak) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SUD45P03-10 (MOSFET) P-Channel Enhancement-Mode Transistor
Производитель:
|
