STS4DNFS30L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STS4DNFS30L (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	755	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STS4DNFS30L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STS4DNFS30L (MOSFET)

N-channel 30V - 0.044? - 4A SO-8 STripFET™ MOSFET plus SCHOTTKY rectifier

Производитель:
STMicroelectronics

STS4DNFS30L datasheet
288.1 Кб