Версия для печати
Технические характеристики STP15NK50ZFP

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	106nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2260pF @ 25V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220FP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAIR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FSC
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)			7.24
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	NXP
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	NXP	48
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ONS
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ТАИЛАНД
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ONS-FAIR
		MC34067P		Высокоэффективный ШИМ-контроллер с резонасным режимом	ON SEMICONDUCTOR
		MC34067P		Высокоэффективный ШИМ-контроллер с резонасным режимом	ONS
		MC34067P		Высокоэффективный ШИМ-контроллер с резонасным режимом			106.60
		MC34067P		Высокоэффективный ШИМ-контроллер с резонасным режимом	ON SEMICONDUCTOR
		MC34067P		Высокоэффективный ШИМ-контроллер с резонасным режимом	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		MC34067P		Высокоэффективный ШИМ-контроллер с резонасным режимом	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MC34067P		Высокоэффективный ШИМ-контроллер с резонасным режимом	4-7 НЕДЕЛЬ	517
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	MOTOROLA
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	MCC
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	MOTOROLA
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ON Semiconductor
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ON SEMICONDUCTOR
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27		20 120	4.66
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	КИТАЙ
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	LGE
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	HOTTECH	760	9.64
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	YJ	59 196	8.79
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	1
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	KLS
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	SENOCN	8	7.50
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	SUNTAN	1 892	7.91
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	YANGZHOU YANGJIE
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	YANGJIE
		STU407D		Сборка из пары полевых транзисторов 40В, 16А, 11Вт	SAMHOP
		STU407D		Сборка из пары полевых транзисторов 40В, 16А, 11Вт
		ULN2004AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 6-15V CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS INSTRUMENTS
		ULN2004AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 6-15V CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)		32	29.40
		ULN2004AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 6-15V CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS INSTRUMENTS
		ULN2004AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 6-15V CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS INSTR
		ULN2004AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 6-15V CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS
		ULN2004AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 6-15V CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS INSTRUMEN
		ULN2004AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 6-15V CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	4-7 НЕДЕЛЬ	201

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"