SIS426DN-T1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SIS426DN-T1 (SILICONIX.)	500	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SIS426DN-T1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1570pF @ 10V
Power - Max	52W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® 1212-8
Корпус	PowerPAK® 1212-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.