SI7414DN-T1-E3
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 8.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® 1212-8 |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1901DL-T1 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI1901DL-T1 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI7911DN-T1-E3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI7911DN-T1-E3 | SILICONIX | 4 094 |
|
|||||
| SI7911DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| TN0200K-T1-E3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| TN0200K-T1-E3 | VISHAY |
|
|
|||||
| TN0200K-T1-E3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| TN0200K-T1-E3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| TN0200K-T1-E3 | VISHAY |
|
|
|||||
| TN0200K-T1-E3 |
|
|
||||||
| TP0610T | SUPERTEX |
|
|
|||||
| TP0610T | SUPERTEX |
|
|
