Версия для печати
Технические характеристики SI4953ADY-T1
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | TrenchFET® |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 4.9A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.7A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Power - Max | 1.1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.