SI4800
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11.8nC @ 5V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SI4800 (Полевые N-канальные транзисторы) N-channel Enhancement Mode Field-effect Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
N25 ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ 1.0A |
|
Предохранитель 1А | ROHM |
|
|
|
|
|
|
N25 ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ 1.0A |
|
Предохранитель 1А |
|
18.00 | ||
| SI4392DY | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI4392DY | SILICONIX |
|
|
|||||
|
|
SI4835DY | FAIR |
|
|
||||
|
|
SI4835DY | VISHAY |
|
|
||||
|
|
SI4835DY | FAIRCHILD |
|
|
||||
|
|
SI4835DY |
|
170.00 | |||||
|
|
SI4835DY | FAIRCHILD |
|
|
||||
| SN65LVDS1D | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| SN65LVDS1D |
|
300.00 | ||||||
| SN65LVDS1D | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| SN65LVDS1D | TEXAS |
|
|
|||||
| SN65LVDS1D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 728 |
|
|||||
| SN65LVDS2DR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| SN65LVDS2DR |
|
336.00 | ||||||
| SN65LVDS2DR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| SN65LVDS2DR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 397 |
|
