SI3552DV-T1-E3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
SI3552DV-T1-E3 (SILICONIX.) |
50 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики SI3552DV-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A, 1.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| Power - Max | 1.15W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Корпус | 6-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
