RS1M

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
RS1M	94 013	1.52 >100 шт. 0.76
RS1M (DC COMPONENTS)	164	2.12
RS1M (YOUTAI)	23 668	1.06 >100 шт. 0.53
RS1M (YJ)	37 816	1.03
RS1M (KINGTRONICS)	76	2.01
RS1M (HOTTECH)	326 360	1.35 >500 шт. 0.45
RS1M (YANGJIE)	16 000	1.17

Версия для печати

Технические характеристики RS1M

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.3V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V (1kV)
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 1000V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	500ns
Capacitance @ Vr, F	10pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	SMA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ON SEMICONDUCTOR
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ONS	735	2.52
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 070
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ON SEMIC
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ON SEMICONDUCTO
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ONSEMICONDUCTOR
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	LRC
MC14014BCP		MOTOROLA
MC14014BCP		ON SEMICONDUCTOR
MC14014BCP		MOTOROLA
MC14014BCP			2 460	51.80
MC14014BCP		4-7 НЕДЕЛЬ	523
MI1206K601R-10		STEWARD
MI1206K601R-10		Laird-Signal Integrity Products
MI1206K601R-10		STEWARD
MI1206K601R-10
MI1206K601R-10		LAIRD
MI1206K601R-10		LAIRD TECHNOLOGIES	255	7.50
MMB02070C6803FB200		VISHAY
MMB02070C6803FB200
RZ03-1A4-D005		TE Connectivity
RZ03-1A4-D005