RHU002N06T106
|
|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 200mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 15pF @ 10V |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-70, SOT-323 |
| Корпус | UMT3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru