|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | RC1206 |
| Сопротивление (Ом) | 110 |
| Мощность (Ватт) | 0.25W, 1/4W |
| Composition | Thick Film |
| Температурный коэфициент | ±100ppm/°C |
| Допустимые отклонения емкости | ±1% |
| Size / Dimension | 0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm) |
| Высота | 0.026" (0.65mm) |
| Number of Terminations | 2 |
| Корпус (размер) | 1206 (3216 Metric) |
| Tolerance | ±1% |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-470 1% |
|
ЧИП — резистор |
|
1.24 | ||||
|
|
|
CC0805JRNP09BN470 |
|
Yageo |
|
|
||
|
|
|
CC0805JRNP09BN470 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
| CC1812KKX7R0BB474 | YAGEO | 12 238 | 8.09 | |||||
| CC1812KKX7R0BB474 |
|
|
||||||
|
|
MMBT5551LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 8 | 1.68 | ||||
|
|
MMBT5551LT1G | ONS |
|
|
||||
|
|
MMBT5551LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 5 108 |
|
||||
|
|
MMBT5551LT1G | 160 | 1.10 | |||||
|
|
MMBT5551LT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
||||
|
|
MMBT5551LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBT5551LT1G | SEMTECH |
|
|
||||
| RC1206JR-071R3L | YAGEO | 58 184 |
1.35 >500 шт. 0.45 |
|||||
| RC1206JR-071R3L |
|
|